森未科技携***新研发产品亮相2024慕尼黑上海电子展

 7月10日，为期三天的2024慕尼黑上海电子展于上海新国际博览中心***闭幕。本届展会吸引了全球半导体行业领军企业以及国内外1600余家厂商，展示面积达10万平米，展现电子行业前沿技术成果与应用方案。

成都高新发展股份有限公司下属成都森未科技有限公司（以下简称“森未科技”）携自主研发的IGBT产品惊艳亮相，重点展示了新能源、工控领域***新IGBT产品。

展会现场，精彩瞬间

本次展会现场，森未科技凭借深厚的研发实力和丰富的行业应用沉淀吸引了众多观众驻足，通过现场交流与产品演示，现场工作人员向与会嘉宾详细介绍了产品特点和应用案例，他们对森未科技产品的***品质与前沿技术表示高度的认可，纷纷表达了进一步交流合作的强烈意愿，更有行业***的应用技术专家现场分享深厚的专业知识与洞见。

产品亮相，多不胜数

成都森未科技有限公司是一家由清华大学和中国科学院博士团队创立的高科技企业，长期专注于功率半导体器件研发，深耕IGBT芯片技术和产业化10年以上，累计取得相关技术专利40多项，成功开发不同电压等级和应用场景的芯片超过100款，是国内产品线覆盖***广的IGBT功率半导体公司之一。此次展会，森未科技带来了覆盖600V-1700V的电压等级的多种IGBT产品，可以应用于特种电源、变频器光伏、储能、充电桩、新能源车等领域。

IGBT芯片

在正面设计上采用MPT技术，在背面工艺上采用Taiko减薄和H-IMP。正面设计搭配背面工艺，针对不同应用工况和应用场景，采用多维一体化设计，综合权衡导通损耗、开关损耗、短路能力、开关应力、可靠性等各项参数指标。从设计研发到生产加工，再到测试检验，每个环节严谨求精、注重品质，芯片技术不断地更新迭代，产品系列不断地丰富完善。

IGBT单管

森未科技可提供涵盖650V-1200V电压等级单管产品。通过采用MPT技术和Taiko减薄工艺，具有高电流密度和低开关损耗的特性，广泛应用于储能，光伏，OBC，充电桩等行业。

IGBT模块

森未科技可提供涵盖650V-1700V电压等级模块产品，兼容市场主流封装。通过采用先进的Trench-FS技术，根据不同行业应用特点，在导通压降和关断损耗之间做出***优权衡设计，为客户提供高效产品方案。特别是集中式储能电站，电能质量及工业控制领域，优化了Vcesat和开关损耗，增加了抵御特殊环境的能力，增加了可靠性，满足客户对效率和特殊环境工况的要求。

本次展会已圆满落幕，但森未的脚步不曾停歇。未来，森未科技将持续坚持技术创新的理念，不断推出更高品质的产品，提供更加优质、可靠的解决方案，成为值得客户信任的IGBT功率半导体行业***者。